FDD86102LZ MOSFET 100 V N-kanaliga PowerTrench MOSFET

FDD86102LZ MOSFET 100 V N-kanali PowerTrench MOSFET esiletõstetud pilt

Lühike kirjeldus:

Tootjad: ON Semiconductor
Tootekategooria: Transistorid – FET-id, MOSFETid – üksikud
Andmeleht:FDD86102LZ
Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS-i olek: RoHS-iga ühilduv

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Toote üksikasjad

Tootesildid

♠ Toote kirjeldus

Atributo del producto	Valor de atributo
Valmistaja:	onsemi
Toote kategooria:	MOSFET
RoHS:	Detailid
Tehnoloogia:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad del transistor:	N-kanal
Kanalite arv:	1 kanal
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id – Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhm
Vgs – Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg – Carga de puerta:	26 nC
Minimaalne trabaja temperatuur:	-55 C
Temperatuur de trabajo maxima:	+ 150 C
Dp – Disipación de potencia:	54 W
Modo kanal:	Täiendus
Kaubanduslik nimi:	PowerTrench
Empaquetado:	Rull
Empaquetado:	Lõika lint
Empaquetado:	MouseReel
Marka:	onsemi / Fairchild
Seadistamine:	Vallaline
Transconductancia hacia delante – Mín.:	31 S
Altura:	2,39 mm
Pikkuskraad:	6,73 mm
Toote näpunäide:	MOSFET
Seeria:	FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Alamkategooria:	MOSFETid
Transistori tüüp:	1 N-kanal
Ancho:	6,22 mm
Unidadi peeso:	0,011640 untsi