FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Tootekirjeldus
| Toote omistamine | Omistatud vaprus |
| Valmistaja: | onsemi |
| Toote kategooria: | MOSFET-transistor |
| RoHS: | Detailid |
| Tehnoloogia: | Si |
| Monteerimise stiil: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Transistori polaarsus: | P-kanal |
| Kanalite arv: | 1 kanal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mΩ |
| Vgs – Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Ukse koormus: | 9 nC |
| Minimaalne trabaja temperatuur: | - 55 °C |
| Temperatuur de trabajo maxima: | + 150 °C |
| Dp – Disipación de potencia: | 500 mW |
| Modo kanal: | Täiustus |
| Kommertsnimi: | PowerTrench |
| Embaquetado: | Rull |
| Embaquetado: | Lõika lint |
| Embaquetado: | MouseReel |
| Mark: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguratsioon: | Vallaline |
| Kaardi aeg: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante – Mín.: | 5 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Pikkuskraad: | 2,9 mm |
| Toode: | MOSFET väike signaal |
| Toote tüüp: | MOSFET-transistor |
| Aeglane periood: | 13 ns |
| Seeria: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Alamkategooria: | MOSFETid |
| Transistori tüüp: | 1 P-kanal |
| Tüüp: | MOSFET-transistor |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de entendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Ühendatud riigi kaal: | 0,001058 untsi |
♠ Üks P-kanal, PowerTrenchÒ MOSFET
See P-kanaliga loogikataseme MOSFET on toodetud ON Semiconductori täiustatud Power Trench protsessi abil, mis on spetsiaalselt kohandatud sisselülitatud oleku takistuse minimeerimiseks, säilitades samal ajal madala värava laengu, et tagada suurepärane lülitusjõudlus.
Need seadmed sobivad hästi madalpinge ja akutoitel rakenduste jaoks, kus on vaja väikest võrgusisest võimsuskadu ja kiiret lülitamist.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Madal väravalaeng (tüüpiliselt 6,2 nC) · Suure jõudlusega kaevikutehnoloogia äärmiselt madala RDS(ON) väärtuse saavutamiseks.
· Tööstusstandardile vastava SOT-23 korpuse suure võimsusega versioon. Identne kontaktide paigutus SOT-23-ga, kuid 30% suurem võimsustaluvus.
· Need seadmed on pliivabad ja vastavad RoHS-i nõuetele
