IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Toote kirjeldus
| Toote atribuut | Atribuudi väärtus |
| Tootja: | Infineon |
| Tootekategooria: | MOSFET |
| RoHS: | Üksikasjad |
| Tehnoloogia: | Si |
| Paigaldusstiil: | SMD/SMT |
| Pakend/ümbris: | TO-252-3 |
| Transistori polaarsus: | N-kanal |
| Kanalite arv: | 1 kanal |
| Vds – äravooluallika rikkepinge: | 40 V |
| Id – pidev tühjendusvool: | 50 A |
| Rds sees – äravooluallika takistus: | 9,3 mOhm |
| Vgs – väravaallika pinge: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – väravaallika lävipinge: | 3 V |
| Qg – värava tasu: | 18,2 nC |
| Minimaalne töötemperatuur: | -55 C |
| Maksimaalne töötemperatuur: | + 175 C |
| Pd – võimsuse hajumine: | 41 W |
| Kanali režiim: | Täiendus |
| Kvalifikatsioon: | AEC-Q101 |
| Ärinimi: | OptiMOS |
| Pakend: | Rull |
| Pakend: | Lõika lint |
| Bränd: | Infineon Technologies |
| Konfiguratsioon: | Vallaline |
| Sügisaeg: | 5 ns |
| Kõrgus: | 2,3 mm |
| Pikkus: | 6,5 mm |
| Toote tüüp: | MOSFET |
| Tõusuaeg: | 7 ns |
| Seeria: | OptiMOS-T2 |
| Tehase pakendi kogus: | 2500 |
| Alamkategooria: | MOSFETid |
| Transistori tüüp: | 1 N-kanal |
| Tavaline väljalülitamise viivitusaeg: | 4 ns |
| Tavaline sisselülitamise viivitusaeg: | 5 ns |
| Laius: | 6,22 mm |
| Osa # varjunimed: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| Ühiku kaal: | 330 mg |
• N-kanal – täiustusrežiim
• AEC kvalifitseeritud
• MSL1 kuni 260°C maksimaalse tagasivooluni
• 175°C töötemperatuur
• Roheline toode (RoHS-iga ühilduv)
• 100% Avalanche testitud
