Samsung Electronics pidas 20. oktoobril Soulis Gangnam-gu's Samsung Foundry Forum 2022, teatas BusinessKorea.
Ettevõtte valukodade äriüksuse tehnoloogiaarenduse asepresident Jeong Ki-tae ütles, et Samsung Electronics tootis sel aastal esmakordselt maailmas edukalt 3 nanomeetrise GAA tehnoloogial põhineva kiibi, mille energiatarve on 45 protsenti väiksem. 23 protsenti suurem jõudlus ja 16 protsenti väiksem pindala võrreldes 5 nanomeetrise kiibiga.
Samsung Electronics kavatseb samuti teha jõupingutusi, et laiendada oma kiibivalukoja tootmisvõimsust, mille eesmärk on 2027. aastaks tootmisvõimsust enam kui kolmekordistada. Sel eesmärgil järgib kiibitootja strateegiat "shell-first", mis hõlmab esmalt puhas ruum ja seejärel turunõudluse tekkimisel rajatise paindlik kasutamine.
Samsung Electronicsi valukodade äriüksuse president Choi Si-young ütles: "Meil on viis tehast Koreas ja Ameerika Ühendriikides ning oleme kindlustanud kohad enam kui 10 tehase ehitamiseks."
IT House sai teada, et Samsung Electronics kavatseb käivitada 2023. aastal oma teise põlvkonna 3-nanomeetrilise protsessi, 2025. aastal alustada 2-nanomeetrilise protsessi masstootmist ja 2027. aastal käivitada 1,4-nanomeetrine protsess – tehnoloogia tegevuskava, mille Samsung esmakordselt Sanis avalikustas. Francisco 3. oktoobril (kohaliku aja järgi).
Postitusaeg: 14.11.2022