SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Toote kirjeldus
| Toote atribuut | Atribuudi väärtus |
| Tootja: | Vishay |
| Tootekategooria: | MOSFET |
| RoHS: | Üksikasjad |
| Tehnoloogia: | Si |
| Paigaldusstiil: | SMD/SMT |
| Pakend / ümbris: | TO-263-3 |
| Transistori polaarsus: | N-kanal |
| Kanalite arv: | 1 kanal |
| Vds – äravooluallika rikkepinge: | 60 V |
| Id – pidev tühjendusvool: | 100 A |
| Rds sees – äravooluallika takistus: | 3,2 mOhm |
| Vgs – väravaallika pinge: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – väravaallika lävipinge: | 2 V |
| Qg – värava tasu: | 60 nC |
| Minimaalne töötemperatuur: | -55 C |
| Maksimaalne töötemperatuur: | + 175 C |
| Pd – võimsuse hajumine: | 150 W |
| Kanali režiim: | Täiendus |
| Ärinimi: | TrenchFET |
| Bränd: | Vishay / Siliconix |
| Konfiguratsioon: | Vallaline |
| Sügisaeg: | 7 ns |
| Toote tüüp: | MOSFET |
| Tõusuaeg: | 7 ns |
| Seeria: | SQ |
| Tehase pakendi kogus: | 800 |
| Alamkategooria: | MOSFETid |
| Tavaline väljalülitamise viivitusaeg: | 33 ns |
| Tavaline sisselülitamise viivitusaeg: | 15 ns |
| Ühiku kaal: | 0,139332 untsi |
• TrenchFET® võimsusega MOSFET
• Madala soojustakistusega pakett
• 100 % Rg ja UIS testitud
• AEC-Q101 kvalifitseeritud
