SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60 V Vds 20 V Vgs PowerPAK SO-8

Lühike kirjeldus:

Tootja: Vishay
Tootekategooria: MOSFET
Andmeleht:SI7461DP-T1-GE3
Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
RoHS-i olek: RoHS-iga ühilduv


Toote üksikasjad

Funktsioonid

Tootesildid

♠ Toote kirjeldus

Toote atribuut Atribuudi väärtus
Tootja: Vishay
Tootekategooria: MOSFET
RoHS: Üksikasjad
Tehnoloogia: Si
Paigaldusstiil: SMD/SMT
Pakend/ümbris: SOIC-8
Transistori polaarsus: P-kanal
Kanalite arv: 1 kanal
Vds – äravooluallika rikkepinge: 30 V
Id – pidev tühjendusvool: 5,7 A
Rds sees – äravooluallika takistus: 42 mOhm
Vgs – väravaallika pinge: - 10 V, + 10 V
Vgs th – väravaallika lävipinge: 1 V
Qg – värava tasu: 24 nC
Minimaalne töötemperatuur: -55 C
Maksimaalne töötemperatuur: + 150 C
Pd – võimsuse hajumine: 2,5 W
Kanali režiim: Täiendus
Ärinimi: TrenchFET
Pakend: Rull
Pakend: Lõika lint
Pakend: MouseReel
Bränd: Vishay pooljuhid
Konfiguratsioon: Vallaline
Sügisaeg: 30 ns
Edasijuhtivus – min: 13 S
Toote tüüp: MOSFET
Tõusuaeg: 42 ns
Seeria: SI9
Tehase pakendi kogus: 2500
Alamkategooria: MOSFETid
Transistori tüüp: 1 P-kanal
Tavaline väljalülitamise viivitusaeg: 30 ns
Tavaline sisselülitamise viivitusaeg: 14 ns
Osa # varjunimed: SI9435BDY-E3
Ühiku kaal: 750 mg

  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • • TrenchFET® võimsusega MOSFETid

    • Madala soojustakistusega PowerPAK® pakett madala 1,07 mm profiiligaEC

    Seotud tooted